اس اس دی سامسونگ 860 PRO SATA III 256GB 2.5 Inch

درایوهای جامد خانواده 860 PRO با بهره گیری از نسل جدید حافظه های V-NAND و کنترلر هوشمند کمپانی سامسونگ، امکان مدیریت حجم بالای اطلاعات موجود در سیستم های PC حرفه ای، پایگاههای پردازش داده و سیستم های متصل به شبکه را به صورت شناور و با حداکثر ضریب ایمنی فراهم می نمایند.

ساختار سخت افزاری و نوع پیکربندی حافظه های V-NAND و کنترلر مورد استفاده در درایوهای جامد 860 PRO بگونه ای بهینه سازی شده است که عملکرد و کارآیی درایو در زمان پردازش فعالیتهای مختلف حفظ شده و سرعت تبادل اطلاعات در بالاترین سطح ممکن تثبیت میگردد. از طرف دیگر با هماهنگی کامل اجزای داخلی محصولات خانواده 860 PRO، سرعت خواندن و نوشتن ترتیبی اطلاعات به شکل قابل توجهی بهبود یافته که به آسانی تا مقادیر 560 و 530 مگابایت در ثانیه نیز افزایش می یابد.

عملکرد شناور، حفظ پایداری و ظرفیت نوشتاری (TBW) از جمله مهمترین فاکتورهای مورد استفاده در ارزیابی درایوهای جامد محسوب میشوند که این امر در زمان ذخیره سازی و پردازش تصاویر سه بعدی و محتوای 4K از اهمیت بسیار بالایی برخوردار خواهد بود. استفاده از نسل جدید تکنولوژی V-NAND میزان ظرفیت نوشتاری درایوهای 860 PRO را در مقایسه با درایوهای 850 PRO به میزان 8 برابر افزایش داده است تا کاربران بتوانند با خیالی آسوده به انجام امور مختلف خود بپردازند.

مشخصات فنی اس اس دی سامسونگ 860 PRO SATA III 256GB 2.5 Inch

+ سازگاری کامل با طیف وسیع سیستم های کامپیوتری

+ الگوریتم پیشرفته تصحیح کدهای خطا (ECC)

+ کنترلر پیشرفته و قدرتمند MJX

+ پشتیبانی از قابلیت TRIM و افزایش هماهنگی درایو جامد با سیستم عامل Linux

جادوگر سامسونگ

+ محیط کاربری ساده همراه با ابزارهای متنوع

+ مدیریت سریع و آسان

+ اطلاع از جدیدترین نسخه رابط نرم افزاری درایو (Firmwire) با قابلیت بروزرسانی آسان

+ ارزیابی دقیق سرعت درایو به منظور کسب حداکثر پایداری در استفاده طولانی مدت

+ افزایش ضریب ایمنی و بهبود امنیت اطلاعات ذخیره شده با استفاده از کدگذار سخت افزاری AES و روشهای TCG Opal و IEEE 1667

مشخصات فنی مدل 256 گیگابایتی :

استاندارد 2.5 اینچی مبتنی بر رابط SATA III

ابعاد : 100 × 69.85 × 6.8 میلیمتر

وزن : 50 گرم

حافظه های چند سطحی V-NAND با ساختار 2 بیتی

کنترلر MJX

حافظه کَش 512 مگابایتی DDR4

پشتیبانی از دستور TRIM، قابلیت S.M.A.R.T و حالتهای WWN و Device Sleep

هماهنگی کامل با الگوریتم جمع آوری اطلاعات زائد (GARBAGE COLLECTION)

سرعت خواندن و نوشتن ترتیبی اطلاعات : 560 و 530 مگابایت در ثانیه

سرعت خواندن و نوشتن تصادفی در آزمون QD32 Random 4KB به ترتیب 100000 و 90000 دستور ورودی-خروجی در دقیقه (IOPS)

سرعت خواندن و نوشتن تصادفی در آزمون QD1 Random 4KB به ترتیب 11000 و 43000 دستور ورودی-خروجی در دقیقه (IOPS)

متوسط و حداکثر توان مصرفی به ترتیب 2 و 3.3 وات

عمر مفید 1.5 میلیون ساعت (MTBF)

امکان استفاده در بازه دمایی 0 تا 70 درجه سانتیگراد

ظرفیت نوشتاری 300 ترابایت (TBW)