معرفی درایو اس اس دی گیگابایت AORUS Gen4 500GB
درایو
اس اس دی AORUS Gen4 500GB بر اساس رابط جدید و پرسرعت PCIe 4.0 x4 و پروتکل NVMe 1.3 توسعه یافته است. شرکت گیگابایت در ساخت این درایو از دو تراشه حافظه فلش 3D TLC NAND از شرکت توشیبا با ظرفیت کلی 500 گیگابایت استفاده کرده است. حافظه فلش NAND سه لایهای و سه بعدی دارای قابلیت ذخیره سه بیت داده در هر یک از 96 سلول تراشه حافظه را دارد و این، یعنی ظرفیت و دوام بیشتر تراشه حافظه. به کارگیری این دو تراشه حافظه در کنار کنترلر PS5016-E16 از شرکت Phison و 512 گیگابایت حافظه کش DDR4، به این درایو امکان دستیابی به سرعت خواندن ترتیبی تا 5000 مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن ترتیبی تا 2500 مگابایت بر ثانیه را میدهد. همچنین سرعت خواندن و نوشتن تصادفی آن نیز به ترتیب برابر 400,000 و 550,000 دستور ورودی/خروجی بر ثانیه (IOPS) است. فرم ظاهری درایو اس اس دی AORUS Gen4 500GB از نوع M.2 2280 بوده و ابعاد آن نیز (طول، عرض، ضخامت) برابر 80.5 در 23.5 در 11.25 میلیمتر است. شرکت گیگابایت عمر مفید این درایو را تا 1,770,000 ساعت، یا تا 850 TBW (ترابایت داده نوشته شده؛ حجم کلی داده قابل ذخیره روی اس اس دی پیش از خرابی آن) تخمین زده است.
مجهز به اولین کنترلر PCIe 4.0 x4 در جهان
اولین کنترلر PCIe 4.0 x4 در جهان، یعنی کنترلر PS5016-E16 از شرکت Phison، با فناوری 28 نانومتری ساخته شده است. فناوری پیشرفته به کار گرفته شده در ساخت کنترلر PS5016-E16 موجب شده است تا این کنترلر در حین استفاده از جدیدترین حافظه فلش 3D TLC NAND، از قدرت محاسباتی لازم برای پردازش کدهای اصلاح خطا (ECC) برخوردار باشد. علاوه بر این، کنترلر PS5016-E16 به هشت کانال NAND با 32 فعالساز تراشه (CE#)، حافظه کش DDR4 با ظرفیت 512 مگابایت و رابط پرسرعت PCIe 4.0 x4 مجهز شده است. قابلیتهای پشتیبانی شده این کنترلر عبارتند از پروتکل NVME 1.3، رمزگذاری Pyrite، کد اصلاح خطای LDPC، قابلیت RAID، و فناوریهای Wear Leveling و Over Provisioning جهت بهبود پایداری و دوام درایو اس اس دی.
فناوری Wear Leveling باعث میشود تا چرخههای P/E (program-erasing) به صورت یکسان در تمام بلوکهای حافظه اس اس دی انجام شده و از کاربرد بیش از حد بلوکهای خاص جلوگیری شود. چرخه P/E سلسله مراحلی است که طی آن داده بر حافظه اس اس دی نوشته شده، سپس پاک و مجدداً نوشته میشود. چرخه P/E معیار مناسبی برای اندازهگیری طول عمر حافظه اس اس دی محسوب میشود.
فناوری Over Provisioning ظرفیت اضافی به دادههایی که قرار است از حافظه اس اس دی پاک شوند، اختصاص میدهد تا فرآیند پاکسازی بدون لطمه زدن به کارایی سیستم انجام شود. کاربر میتواند این ظرفیت اختصاص یافته را تغییر دهد و از مزیتهای آن، از جلمه سرعت و عمر مفید بیشتر اس اس دی، بهره ببرد.
حافظه فلش 3D TLC NAND با کیفیت و کارایی بالا
حافظه فلش NAND باکیفیت انتخاب شده برای درایو اس اس دی AORUS Gen4 500GB، مداربندی و معماری اجزای اس اس دی را با داشتن 32 سلول سه لایهای (96 لایه در مجموع) بهبود میبخشد و فضای ذخیرهسازی در هر بلوک را افزایش میدهد. درایو اس اس دی AORUS Gen4 500GB با داشتن توان خروجی 800 مگا ترانسفر بر ثانیه (MT/s)، کارایی ذخیرهسازی بسیار بهتری نسبت به اس اس دیهای با رابط PCIe 3.0 x4 ارائه میدهد.
درایو اس اس دی AORUS Gen4 500GB با مجهز بودن به کنترلر رابط جدید PCIe 4.0 میتواند دادهها را با سرعت خیرهکنندهای انتقال دهد: سرعت خواندن ترتیبی تا 5,000 مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن ترتیبی تا 2,500 مگابایت بر ثانیه. سرعت خواندن و نوشتن ترتیبی این اس اس دی تا 40 درصد بیشتر از اس اس دیهای PCIe 3.0 است. با درایو اس اس دی AORUS Gen4 500GB، خود را آماده نسل بعدی پردازشهای سریعتر و روانتر، گیمینگ، استریمینگ و رندرینگهای گرافیکی سنگین کنید.
هیت سینک دوطرفه مسی
هیت سینک مسی درایو اس اس دی AORUS Gen4 500GB و دو پد حرارتی با قابلیت رسانایی بالا، حرارت را از هر دو طرف دستگاه، کنترلر و تراشههای فلش NAND دریافت میکند. این هیت سینک تمام مسی نسبت به هیت سینکهای آلومینیومی، 69 درصد ظرفیت تبادل حرارتی بیشتری دارد و با دفع بیشرین حرارت ممکن از درایو اس اس دی AORUS Gen4 500GB، به این دستگاه اجازه میدهد تا حداکثر کارایی خود را به نمایش بگذارد.
طراحی بهینه هیت سینک
در مقایسه با هیت سینکهای معمولی یافته شده در اکثر درایوهای اس اس دی موجود در بازار، طراحی جدید و بهینه هیت سینک مسی درایو اس اس دی AORUS Gen4 500GB با 27 پره خود، سطح تماس بیشتری را به وجود میآورد و به تبع، فرآیند انتقال گرما از منابع حرارت سریعتر صورت میگیرد و اجزای اس اس دی زودتر به تعادل حرارتی دست پیدا میکنند. علاوه بر این، طراحی بهینه پرههای هیت سینک سبب شده است تا فرآیند دفع حرارت با هر نوع جریان هوا از هر سمتی انجام شود. هر دو بعد طراحی منحصر به فرد هیت سینک درایو اس اس دی AORUS Gen4 500GB، به آن اجازه میدهد تا حتی در نرخ تبادل داده بالا، درایو اس اس دی در دمای کاری مناسب به فعالیت خود ادامه دهد.
چرا پایین نگه داشتن دمای کاری درایو اس اس دی از اهمیت زیادی برخوردار است؟
- دمای کاری مناسب یک درایو اس اس دی، معمولاً بین 0 تا 70 درجه سلسیوس است. دمای کاری بالا ممکن است منجر به از دست رفتن دادههای ذخیره شده در درایو اس اس دی شود. در دمای کاری بالا، ضریب تخریب داده تا صدها برابر افزایش مییابد.
- به لطف استفاده از هیت سینک دوطرفه مسی، درایو اس اس دی AORUS Gen4 500GB در دمای کاری پایینتری فعالیت میکند و به تبع، پایداری درایو در ذخیرهسازی دادهها افزایش مییابد. علاوه بر این، دمای کاری پایین موجب میشود تا درایو اس اس دی حداکثر کارایی خود را در مدت طولانیتری ارائه کند.
نرمافزار گیگابایت SSD Tool Box
نرمافزار بروزرسانی شده گیگابایت SSD Tool Box به کاربران امکان بررسی اجمالی وضعیت درایو اس اس دی و مؤلفههای مختلف آن، از جمله نام مدل، ورژن فریمور (Firmware)، وضعیت سلامتی و دمای سنسور حرارتی درایو اس اس دی را میدهد. علاوه بر این، کاربران میتوانند با قابلیت Secure Erase، تمام دادههای موجود در درایو اس اس دی را پاک کنند.
کسری فصیحی
این مدل با هیت سینک مسی هستش
سلام دوست عزیز، این مدل هیت سینک نداره.