ظرفیت: 250 گیگابایت
نوع فلش: V-NAND
سرعت خواندن: حداکثر تا 550 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن: حداکثر تا 520 مگابایت بر ثانیه
نسل جدید درایوهای پرفروش کمپانی سامسونگ موسوم به سری EVO اینبار در قالب خانواده 860 EVO و به منظور رفع نیازهای سیستم های PC و دستگاههای لپتاپ روانه بازار شده اند. محصولات این خانواده با بهره گیری از نسل جدید حافظه های V-NAND در کنار کنترلر هوشمند کمپانی سامسونگ و با ارائه ظرفیتهای مختلف بر روی سه استاندارد SATA/M.2/mSATA امکان مدیریت حجم بالای اطلاعات را به صورت شناور و با حداکثر ضریب ایمنی در اختیار کاربران قرار میدهند.
ساختار سخت افزاری و نوع پیکربندی درایوهای جامد 860 EVO بگونه ای بهینه سازی شده است که عملکرد مطلوب و سرعت تبادل اطلاعات در حین پردازش فعالیتهای مختلف حفظ میگردد. از طرف دیگر این اس اس دی با بهره گیری از تکنولوژی هوشمند TurboWrite و افزایش ظرفیت حافظه موقت از 12 گیگابایت به 72 گیگابایت، سرعت خواندن و نوشتن ترتیبی اطلاعات تا ارقام 550 و 520 مگابایت در ثانیه افزایش یافته و جابجایی اطلاعات با سرعت بیشتری صورت میپذیرد.
عملکرد شناور، حفظ پایداری و ظرفیت نوشتاری (TBW) از جمله مهمترین فاکتورهای مورد استفاده در ارزیابی درایوهای جامد محسوب میشوند که این امر در زمان ذخیره سازی و پردازش تصاویر سه بعدی و محتوای 4K از اهمیت بسیار بالایی برخوردار خواهد بود. استفاده از نسل جدید تکنولوژی V-NAND میزان ظرفیت نوشتاری درایوهای 860 EVO را در مقایسه با درایوهای 850 EVO به میزان 8 برابر افزایش داده است تا کاربران بتوانند با خیالی آسوده به انجام امور مختلف خود بپردازند.
+ سازگاری کامل با طیف وسیع سیستم های کامپیوتری
+ الگوریتم پیشرفته تصحیح کدهای خطا (ECC)
+ کنترلر پیشرفته و قدرتمند MJX
+ پشتیبانی از قابلیت TRIM و افزایش هماهنگی درایو جامد با سیستم عامل Linux
محصولات خانواده 860 EVO با ارائه ظرفیتهای متنوع بر روی سه استاندارد SATA/M.2/mSATA، حق انتخاب و تنوع بسیار گسترده ای از درایوهای جامد را در اختیار طیف وسیعی از کاربران سیستم های کامپیوتری قرار داده اند.
جادوگر سامسونگ
+ محیط کاربری ساده همراه با ابزارهای متنوع
+ مدیریت سریع و آسان
+ اطلاع از جدیدترین نسخه رابط نرم افزاری درایو (Firmwire) با قابلیت بروزرسانی آسان
+ ارزیابی دقیق سرعت درایو به منظور کسب حداکثر پایداری در استفاده طولانی مدت
+ افزایش ضریب ایمنی و بهبود امنیت اطلاعات ذخیره شده با استفاده از کدگذار سخت افزاری AES و روشهای TCG Opal و IEEE 1667
مشخصات فنی مدل 250 گیگابایتی :
استاندارد M.2 مبتنی بر رابط SATA III
حافظه های چند سطحی V-NAND با ساختار 3 بیتی
کنترلر MJX
256 مگابایت حافظه کَش DDR4
سیستم کدگذاری 256 بیتی AES
پشتیبانی از دستور TRIM، قابلیت S.M.A.R.T و حالتهای WWN و Device Sleep
هماهنگی کامل با الگوریتم جمع آوری اطلاعات زائد (GARBAGE COLLECTION)
سرعت خواندن و نوشتن ترتیبی اطلاعات : 550 و 520 مگابایت در ثانیه
سرعت خواندن و نوشتن تصادفی در آزمون QD32 Random 4KB به ترتیب 970000 و 88000 دستور ورودی-خروجی در دقیقه (IOPS)
سرعت خواندن و نوشتن تصادفی در آزمون QD1 Random 4KB به ترتیب 10000 و 42000 دستور ورودی-خروجی در دقیقه (IOPS)
متوسط و حداکثر توان مصرفی به ترتیب 2.2 و 4 وات
عمر مفید 1.5 میلیون ساعت (MTBF)
امکان استفاده در بازه دمایی 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ظرفیت نوشتاری 150 ترابایت (TBW)
SATA 6 Gb/s Interface, compatible with SATA 3 Gb/s & SATA 1.5 Gb/s interface
Storage
Capacity
250 GB (1 GB=1 Billion byte by IDEMA)
* Actual usable capacity may be less (due to formatting, partitioning, operating system, applications or otherwise)
Key Features
Sequential Read Speed
Up to 550 MB/s Sequential Read
* Performance may vary based on system hardware & configuration
Sequential Write Speed
Up to 520 MB/s Sequential Write
* Performance may vary based on system hardware & configuration
Random Read Speed
Random Read (4KB, QD32): Up to 97,000 IOPS Random Read
Random Read (4KB, QD1): Up to 10,000 IOPS Random Read
* Performance may vary based on system hardware & configuration
Random Write Speed
Random Write (4KB, QD32): Up to 88,000 IOPS Random Write
Random Write (4KB, QD1): Up to 42,000 IOPS Random Write
* Performance may vary based on system hardware & configuration
Controller
Samsung MJX Controller
NAND Type
Samsung V-NAND 3bit MLC
Cache Memory
Samsung 250 GB Low Power DDR4 SDRAM
Trim Support
Yes
AES Encryption
AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
S.M.A.R.T. Support
Yes
GC (Garbage Collection)
Auto Garbage Collection Algorithm
WWN Support
World Wide Name supported
Device Sleep Mode Support
Yes
Internal Storage
Yes
General
Power Consumption (W)
*Average: 2.2 W
*Maximum: 4.0 W (Burst mode)
*Actual power consumption may vary depending on system hardware & configuration
Reliability (MTBF)
1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
Environmental Specs
Operating Temperature
0 - 70 ℃ Operating Temperature
Shock
1,500G & 0.5ms (Half sine)
Form Factor
Product
M.2 SATA
Dimensions (W x D x H)
Product
3.15" X 0.87 " X 0.09"
Weight
Product
0.18 lbs.
Software
Management SW
Magician Software for SSD management
Warranty
Product
5 Years Limited Warranty or 150 TBW Limited Warranty
اس اس دی
SAMSUNG
2280
250 گیگابایت
V-NAND
M.2
حداکثر تا 550 مگابایت بر ثانیه
حداکثر تا 520 مگابایت بر ثانیه
ندارد
2.2 وات
نقد و بررسی کاربران