فروش ویژه
مجله لیون کامپیوتر
اس اس دی گیگابایت AORUS NVMe Heat Sink M.2 Gen4 1TB
GIGABYTE AORUS NVMe Heat Sink Gen4 1TB M.2 SSD
فرم ظاهری:2280 M.2
ظرفیت: 1 ترابایت
سرعت خواندن: حداکثر تا 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن: حداکثر تا 4400 مگابایت بر ثانیه
رابط حافظه: PCIe Mode
ظرفیت: 1 ترابایت
سرعت خواندن: حداکثر تا 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن: حداکثر تا 4400 مگابایت بر ثانیه
رابط حافظه: PCIe Mode
کد کالا:
Lion-Product-222297
ناموجود
محصولاتی که همراه این محصول پیشنهاد می‌شوند
معرفی درایو اس اس دی گیگابایت AORUS Gen4 1TB
درایو اس اس دی AORUS Gen4 1TB بر اساس رابط جدید و پرسرعت PCIe 4.0 x4 و پروتکل NVMe 1.3 توسعه یافته است. شرکت گیگابایت در ساخت این درایو از دو تراشه حافظه فلش 3D TLC NAND از شرکت توشیبا با ظرفیت کلی یک ترابایت استفاده کرده است. حافظه فلش NAND سه لایه‌ای و سه بعدی دارای قابلیت ذخیره سه بیت داده در هر یک از 96 سلول تراشه حافظه را دارد و این، یعنی ظرفیت و دوام بیشتر تراشه حافظه. به کارگیری این دو تراشه حافظه در کنار کنترلر PS5016-E16 از شرکت Phison و یک گیگابایت حافظه کش DDR4، به این درایو امکان دستیابی به سرعت خواندن ترتیبی تا 5000 مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن ترتیبی تا 4400 مگابایت بر ثانیه را می‌دهد. همچنین سرعت خواندن و نوشتن تصادفی آن نیز به ترتیب برابر 750,000 و 700,000 دستور ورودی/خروجی بر ثانیه (IOPS) است. فرم ظاهری درایو اس اس دی AORUS Gen4 1TB از نوع M.2 2280 بوده و ابعاد آن نیز (طول، عرض، ضخامت) برابر 80 در 22 در 2.3 میلی‌متر است. شرکت گیگابایت عمر مفید این درایو را تا 1,770,000 ساعت، یا تا 1800 TBW (ترابایت داده نوشته شده؛ حجم کلی داده قابل ذخیره روی اس اس دی پیش از خرابی آن) تخمین زده است. فناوری‌های TRIM و S.M.A.R.T در افزایش کارایی و عمر مفید درایو اس اس دی نقش داشته و این اطمینان را به وجود می‌آورد که درایو به صورت مداوم نهایت کارایی خود را ارائه می‌دهد.
مجهز به اولین کنترلر PCIe 4.0 x4 در جهان
مجهز به اولین کنترلر PCIe 4.0 x4 در جهان
اولین کنترلر PCIe 4.0 x4 در جهان، یعنی کنترلر PS5016-E16 از شرکت Phison، با فناوری 28 نانومتری ساخته شده است. فناوری پیشرفته به کار گرفته شده در ساخت کنترلر PS5016-E16 موجب شده است تا این کنترلر در حین استفاده از جدیدترین حافظه فلش 3D TLC NAND، از قدرت محاسباتی لازم برای پردازش کدهای اصلاح خطا (ECC) برخوردار باشد. علاوه بر این، کنترلر PS5016-E16 به هشت کانال NAND با 32 فعال‌ساز تراشه (CE#)، حافظه کش DDR4 با ظرفیت یک گیگابایت و رابط پرسرعت PCIe 4.0 x4 مجهز شده است. قابلیت‌های پشتیبانی شده این کنترلر عبارتند از پروتکل NVME 1.3، رمزگذاری Pyrite، کد اصلاح خطای LDPC، قابلیت RAID، و فناوری‌های Wear Leveling و Over Provisioning جهت بهبود پایداری و دوام درایو اس اس دی.
فناوری Wear Leveling باعث می‌شود تا چرخه‌های P/E (program-erasing) به صورت یکسان در تمام بلوک‌های حافظه اس اس دی انجام شده و از کاربرد بیش از حد بلوک‌های خاص جلوگیری شود. چرخه P/E سلسله مراحلی است که طی آن داده بر حافظه اس اس دی نوشته شده، سپس پاک و مجدداً نوشته می‌شود. چرخه P/E معیار مناسبی برای اندازه‌گیری طول عمر حافظه اس اس دی محسوب می‌شود.
فناوری Over Provisioning ظرفیت اضافی به داده‌هایی که قرار است از حافظه اس اس دی پاک شوند، اختصاص می‌دهد تا فرآیند پاکسازی بدون لطمه زدن به کارایی سیستم انجام شود. کاربر می‌تواند این ظرفیت اختصاص یافته را تغییر دهد و از مزیت‌های آن، از جلمه سرعت و عمر مفید بیشتر اس اس دی، بهره ببرد.
حافظه فلش 3D TLC NAND با کیفیت و کارایی بالا
حافظه فلش 3D TLC NAND با کیفیت و کارایی بالا
حافظه فلش NAND باکیفیت انتخاب شده برای درایو اس اس دی AORUS Gen4 1TB، مداربندی و معماری اجزای اس اس دی را با داشتن 32 سلول سه لایه‌ای (96 لایه در مجموع) بهبود می‌بخشد و فضای ذخیره‌سازی در هر بلوک را افزایش می‌دهد. درایو اس اس دی AORUS Gen4 1TB با داشتن توان خروجی 800 مگا ترانسفر بر ثانیه (MT/s)، کارایی ذخیره‌سازی بسیار بهتری نسبت به اس اس دی‌های با رابط PCIe 3.0 x4 ارائه می‌دهد.
درایو اس اس دی AORUS Gen4 1TB با مجهز بودن به کنترلر رابط جدید PCIe 4.0 می‌تواند داده‌ها را با سرعت خیره‌کننده‌ای انتقال دهد: سرعت خواندن ترتیبی تا 5000 مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن ترتیبی تا 4400 مگابایت بر ثانیه. سرعت خواندن و نوشتن ترتیبی این اس اس دی تا 40 درصد بیشتر از اس اس دی‌های PCIe 3.0 است. با درایو اس اس دی AORUS Gen4 1TB، خود را آماده نسل بعدی پردازش‌های سریعتر و روان‌تر، گیمینگ، استریمینگ و رندرینگ‌های گرافیکی سنگین کنید.
هیت سینک دوطرفه مسی
درایو اس اس دی AORUS Gen4 1TB با مجهز بودن به کنترلر رابط جدید PCIe 4.0 می‌تواند داده‌ها را با سرعت خیره‌کننده‌ای انتقال دهد: سرعت خواندن ترتیبی تا 5000 مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن ترتیبی تا 4400 مگابایت بر ثانیه. سرعت خواندن و نوشتن ترتیبی این اس اس دی تا 40 درصد بیشتر از اس اس دی‌های PCIe 3.0 است. با درایو اس اس دی AORUS Gen4 1TB، خود را آماده نسل بعدی پردازش‌های سریعتر و روان‌تر، گیمینگ، استریمینگ و رندرینگ‌های گرافیکی سنگین کنید.
هیت سینک دوطرفه مسی
هیت سینک مسی درایو اس اس دی AORUS Gen4 1TB و دو پد حرارتی با قابلیت رسانایی بالا، حرارت را از هر دو طرف دستگاه، کنترلر و تراشه‌های فلش NAND دریافت می‌کند. این هیت سینک تمام مسی نسبت به هیت سینک‌های آلومینیومی، 69 درصد ظرفیت تبادل حرارتی بیشتری دارد و با دفع بیشرین حرارت ممکن از درایو اس اس دی AORUS Gen4 1TB، به این دستگاه اجازه می‌دهد تا حداکثر کارایی خود را به نمایش بگذارد.
طراحی بهینه هیت سینک
طراحی بهینه هیت سینک
در مقایسه با هیت سینک‌های معمولی یافته شده در اکثر درایوهای اس اس دی موجود در بازار، طراحی جدید و بهینه هیت سینک مسی درایو اس اس دی AORUS Gen4 1TB با 27 پره خود، سطح تماس بیشتری را به وجود می‌آورد و به تبع، فرآیند انتقال گرما از منابع حرارت سریعتر صورت می‌گیرد و اجزای اس اس دی زودتر به تعادل حرارتی دست پیدا می‌کنند. علاوه بر این، طراحی بهینه پره‌های هیت سینک سبب شده است تا فرآیند دفع حرارت با هر نوع جریان هوا از هر سمتی انجام شود. هر دو بعد طراحی منحصر به فرد هیت سینک درایو اس اس دی AORUS Gen4 1TB، به آن اجازه می‌دهد تا حتی در نرخ تبادل داده بالا، درایو اس اس دی در دمای کاری مناسب به فعالیت خود ادامه دهد.
چرا پایین نگه داشتن دمای کاری درایو اس اس دی از اهمیت زیادی برخوردار است؟
چرا پایین نگه داشتن دمای کاری درایو اس اس دی از اهمیت زیادی برخوردار است؟
- دمای کاری مناسب یک درایو اس اس دی، معمولاً بین 0 تا 70 درجه سلسیوس است. دمای کاری بالا ممکن است منجر به از دست رفتن داده‌های ذخیره شده در درایو اس اس دی شود. در دمای کاری بالا، ضریب تخریب داده تا صدها برابر افزایش می‌یابد.
- به لطف استفاده از هیت سینک دوطرفه مسی، درایو اس اس دی AORUS Gen4 1TB در دمای کاری پایین‌تری فعالیت می‌کند و به تبع، پایداری درایو در ذخیره‌سازی داده‌ها افزایش می‌یابد. علاوه بر این، دمای کاری پایین موجب می‌شود تا درایو اس اس دی حداکثر کارایی خود را در مدت طولانی‌تری ارائه کند.
مناسب جهت افزایش فضای ذخیره‌سازی کنسول سونی PS5
مناسب جهت افزایش فضای ذخیره‌سازی کنسول سونی PS5
درایو اس اس دی AORUS Gen4 1TB کارایی لازم و ابعاد مناسب را برای گسترش فضای ذخیره‌سازی کنسول سونی PS5 دارد.
طبق شرایط ذکر شده توسط شرکت سونی جهت ارتقا فضای ذخیره‌سازی کنسول PS5 از طریق نصب درایو اس اس دی در فضای در نظر گرفته شده، درایو اس اس دی باید دارای حداقل سرعت خواندن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه باشد. درایو اس اس دی AORUS Gen4 1TB پس از گذراندن سنجش ارزیابی درایو اس اس دی M.2 در کنسول PS5، به حداکثر سرعت خواندن 5600 مگابایت در ثانیه دست پیدا کرده است. درایو اس اس دی AORUS Gen4 1TB همچنین به لطف مجهز بودن به هیت سینک مسی، دمای کاری پایین‌تری دارد که موجب بهبود پایداری کارایی آن می‌شود.
نرم‌افزار گیگابایت SSD Tool Box
نرم‌افزار گیگابایت SSD Tool Box
نرم‌افزار بروزرسانی شده گیگابایت SSD Tool Box به کاربران امکان بررسی اجمالی وضعیت درایو اس اس دی و مؤلفه‌های مختلف آن، از جمله نام مدل، ورژن فریمور (Firmware)، وضعیت سلامتی و دمای سنسور حرارتی درایو اس اس دی را می‌دهد. علاوه بر این، کاربران می‌توانند با قابلیت Secure Erase، تمام داده‌های موجود در درایو اس اس دی را پاک کنند.
اس اس دی
سازنده
GIGABYTE
ابعاد
80.5×11.4×23.5 میلی‌متر
فرم ظاهری
2280
ظرفیت
1 ترابایت
خنک‌کننده
هیت‌سینک
نوع فلش
TLC
کنترلر
Toshiba BiCS4
درگاه اتصال
M.2
رابط حافظه در حالت M2.0
PCIe Mode
نسل PCIe
نسل 4.0
سرعت خواندن ترتیبی
حداکثر تا 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن ترتیبی
حداکثر تا 4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی 4K
حداکثر تا 750K
سرعت نوشتن تصادفی 4K
حداکثر تا 700K
مقاومت در برابر شوک
ندارد
مقاومت در برابر لرزش
دارد
مقاومت در برابر ضربه
دارد
پشتیبانی از NVMe
دارد
پشتیبانی از S.M.A.R.T
دارد
پشتیبانی از فرمان TRIM
دارد
طول عمر
1,770,000 ساعت
توان مصرفی
6.6 وات
نقد و بررسی کاربران